Регуляторы Европейского Союза наложили крупный штраф на девять компаний, занимающихся производством микросхем памяти DRAM (Dynamic Random Access Memory). Samsung Electronics, NEC Electronics, Hynix Semiconductor, Elpida Memory, Hitachi, Infineon, Toshiba, Mitsubishi Electric и Nanya Technology признаны виновными в формировании картельного сговора. Евросоюз установил, что перечисленные производители преднамеренно фиксировали цены на микросхемы DRAM в период с 1998 по 2002 год. Общая сумма выплат со стороны участников сговора составляет 331 млн. евро (около 411 млн. долларов). Самые крупные штрафы наложены на Samsung, Infineon и Hynix Semiconductor - 145,7, 56,7 и 51,5 млн. евро соответственно. Hitachi придется выплатить 20,4 млн. евро; Toshiba - 17,6 млн. евро; Mitsubishi Electric - 16,6 млн. евро; NEC - 10,3 млн. евро; Nanya Technology - 1,8 млн. евро. На компании Elpida Memory, NEC и Hitachi также наложен отдельный штраф в размере 8,5 млн. евро. Кроме того, NEC и Hitachi должны будут дополнительно заплатить 2,2 млн. евро. Одному из производителей - Micron - удалось избежать санкций: в 2002 году эта компания сообщила о существовании картеля, за что и была освобождена от ответственности.
|
